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2026/4/3

【半導体】SEMI、300mmファブ装置の世界投資額は2年連続で二桁成長と予測。AI・先進ノード需要により装置投資額は初めて1500億ドルを超える見込み

　SEMI（本部：米国カリフォルニア州ミルピタス）は、2026年4月2日発行した最新の「300mm Fab Outlook」レポートにおいて、世界の300mmファブ装置投資額が、2026年に前年比18％増の1330億ドル、2027年には同14％増の1510億ドルに達するとの予測を示した。この力強い成長は、データセンターおよびエッジデバイス向けAIチップ需要が急増していることに加え、主要地域における半導体自給力強化に向けたエコシステムのローカライズやサプライチェーンの再構築を反映したもの。
　2027年以降についても、同レポートでは投資額が2028年に3％増の1550億ドルへ、2029年に11％増の1720億ドルへと拡大することを予測している。
　SEMIの社長兼CEOであるAjit Manocha（アジット・マノチャ）氏は次のように述べている。
　「AI需要によって半導体製造投資の規模はリセットされつつあります。300mmファブ装置の世界投資額は2027年に初めて1500億ドルを超えることが見込まれており、業界はAI時代を支えるために不可欠な先進的生産能力と強靭なサプライチェーンに向けて、前例のない規模の投資を進めています」

＜セグメント別成長＞
　ロジック＆マイクロセグメントでは、2027年～2029年にかけて累計2280億ドルが投資され、装置投資拡大をリードすることが予想される。2nm未満の最先端プロセスに向けた投資が牽引するファウンドリ分野の旺盛な需要がその主な要因。先進ノード技術は、チップ性能および電力効率を向上し、各種AIアプリケーションの高度なチップ設計要件を満たす上で不可欠なもの。こうした先進ノード技術は、2027年～2029年にかけて量産に入る見込み。さらに、AIの性能向上に伴い、多様なエッジAIデバイスの大幅な普及拡大も予想されている。先進ノードにとどまらず、全ノードにわたる各種デバイスの需要が徐々に成長し、成熟ノードへの投資を下支えすることが予想される。
　メモリセグメントは、装置投資額で第2位となり、2027年～2029年の累計が1750億ドルに達すると予測されている。この期間は、同分野における新たな成長サイクルの始まりとなる。メモリ分野の内訳では、DRAM装置の投資が2027年～2029年にかけて累計1110億ドルに達し、3D NAND装置の同期間の投資累計は620億ドルとなる見込み。
　AIの学習および推論用途を要因に、メモリ需要は大幅に増加している。AI学習の進展がHBM（広帯域メモリ）需要を大きく押し上げる一方、モデル推論の拡大はストレージ容量の強い需要を生み出し、データセンターにおけるNANDフラッシュアプリケーションの成長を促進している。こうした旺盛な需要によって、メモリサプライチェーンへの高水準の投資が短期および中長期にわたり継続すると見られており、従来のメモリ市況サイクルに伴う下振れリスクを緩和する効果が期待されている。
＜地域別成長＞
　2027年～2029年にかけての世界の300mmファブ装置投資は、主要な半導体製造地域全体に広く分散して推移することが予測される。その要因となるのは、先進ノードの製造拡大、メモリ生産能力の増強、ならびに政策支援を背景としたサプライチェーンのローカライズの3つ。予測期間中、中国、台湾、韓国、ならびに米州地域では、それぞれ高水準の投資が見込まれており、日本、欧州・中東、東南アジアについても、投資規模は比較的小さいものの、引き続き拡大が見込まれている。
　中国では、国内生産能力の継続的な拡張と、半導体製造基盤の強化を目的とした国家主導の施策を背景に、ファブ装置投資は継続する見通し。台湾では、2nm以下の技術を含む最先端ファウンドリの生産能力拡張が、主に投資を牽引する見通し。韓国の投資動向は引き続きメモリ分野と密接に連動しており、AI関連需要が、次の生産能力拡張および技術アップグレードのサイクルを支えると見られている。米州では、先端プロセスへの投資拡大に加え、国内製造エコシステムの強化に向けた幅広い取り組みが、設備投資を下支えするであろう。
　日本、欧州・中東、東南アジアについても、2029年にかけて有意な成長が見込まれている。これらの地域では、政府による各種インセンティブ、サプライチェーン強靭化に向けた戦略、ならびに半導体生産能力拡張を目的とした重点的取り組みが、装置投資を下支えする要因になると見られている。

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